Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern

Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern
skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound-semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми соединениями, f pranc. interface de semi-conducteurs composés, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • compound-semiconductor interface — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • interface de semi-conducteurs composés — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми соединениями, f pranc. interface de semi conducteurs… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • поверхность раздела между полупроводниковыми соединениями — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

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